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GT60M103


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 900V
UGE 25V
IC 60A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/800nS
TJ -
GT60M103 è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 900V, Ic = 60A, d´application: stadi di potenza
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
informazioni aggiuntive per GT60M103
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura:TOP-3L
scheda tecnica (jpg):-
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GT60M103


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GFX
UCE 900V
UGE 25V
IC 60A
Ptot 200W
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GN9060E


SI N-IGBT transistor
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GFX
UCE 900V
UGE 20V
IC 60A
Ptot 200W
fT -
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Prodotto simile: GN9060E
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Hitachi Ltd. Japan
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GT60M102,..,GT60M104
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